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全新100mW 660nm红光激光芯片

全新100mW 660nm红光激光芯片

660nm100mW医疗美容激光******用红光激光二极管裸芯数据(在脉冲条件下测试)(1)波长:660nmtyp。(Tc=25℃)(2)光功率输出:脉冲90mW脉冲宽度≦1μsec占空比≦0.1%特点:效***、性能稳定、工作寿命长

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  • 地   址:
    广东 深圳 龙华区 大浪街道德泰科技园
加工定制:否品牌:sharp型号:GC3GA1A66Z
种类:激光头波段范围:可见光运转方式:连续式
激励方式:电激励式工作物质:半导体通道:单通道
输出波长:660nm

全新100mW 660nm红光激光芯片详细介绍

660nm 100mW医疗美容激光******用红光激光二极管

裸芯数据(在脉冲条件下测试)

(1)波长:660nm typ。(Tc = 25℃)

(2)光功率输出:脉冲90mW  脉冲宽度≦1μsec 占空比≦0.1%

特点:效***、性能稳定、工作寿命长

工作电流:113mA阈值电流:40mA 工作电压:2.3V  封装形式:TO,56工作温度:-10,70摄氏度存储温度:-40,85摄氏度工作寿命:大于10000小时

产品十分适合应用于医疗美容、激光***、工业激光标记、测量仪器等产品中。

 


 

 

OPTICALANDELECTRICALCHARACTERISTICS: OUTLINGDRAWING:

 此元件对静电敏感,未做好防静电措施请勿用手直接接触该激光管本体; 

本激光管须有合格的驱动电路才可正常工作,不同功率的电压一样,但工作电流不同,电路对管子的驱动电流需要控制在安全范围内,否则会影响寿命。本商品为特殊商品,发货前确保为良品,一经售出,不予以保修及退换。


深圳瑞波光电子有限公司是由深圳清华大学研究院、国内外技术专家共同创办的从事高端半导体激光芯片研发和生产的高科技企业,拥有从半导体激光芯片外延设计、材料、制造工艺,到芯片封装、表征测试等全套核心技术,可向市场提供高性能、高可靠性大功率半导体激光芯片,封装模块及测试表征设备,并可提供研发咨询服务。

公司芯片产品形式包括单管芯片(single-emitter) 和bar条,功率从瓦级到数百瓦级,波长覆盖可见光到近红外波段,波长包含635nm、755nm、808nm、880nm、915nm、940nm、976nm、1470nm、1550nm等,输出功率均达到***水平,可代替进口高端激光芯片;封装产品包括C-Mount、COS(Chip on Submount)、BOS(Bar on Submount)和CCP等;表征测试设备种类齐全、自动化程度高,包括Bar条综合性能测试机、Full-bar 综合性能测试机、COS综合性能测试机、半导体激光光纤耦合模块综合性能测试机、大功率半导体激光芯片器件老化/寿命测试机等。


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